氮化鎵進入十四五規(guī)劃!
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作者:佚名
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發(fā)布時間: 2021-06-21
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3月13日,新華網(wǎng)刊登了《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》,其中“集成電路”領(lǐng)域,特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體也就是行業(yè)人士關(guān)注的第三代半導體要取得發(fā)展。
3月13日,新華網(wǎng)刊登了《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》,其中“集成電路”領(lǐng)域,特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體也就是行業(yè)人士關(guān)注的第三代半導體要取得發(fā)展。
官宣來了
十四五規(guī)劃中提到的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)均為第三代寬禁帶半導體材料,其中氮化鎵用于半導體器件中時,具備耐高溫、高開關(guān)頻率、低導通電阻、高效率、化學性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)異特性,不過受限于制造工藝、應用成本等因素的限制,多年以來氮化鎵僅實現(xiàn)小范圍應用。
近年來,隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破,第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),并正在打開應用市場。自從2018年開始,氮化鎵在消費類快充電源領(lǐng)域的應用就已經(jīng)進入了快車道。未來五年,基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于激光雷達、5G通信、新能源汽車、特高壓、人工智能、數(shù)據(jù)中心等場景。
產(chǎn)業(yè)利好
氮化鎵寫入十四五規(guī)劃,意味著這一產(chǎn)業(yè)將在未來的發(fā)展中獲得國家層面的大力扶持,加速以氮化鎵為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)大規(guī)模實現(xiàn)技術(shù)自主可控;并有望成為我國打破歐美發(fā)達國家在第二代半導體領(lǐng)域技術(shù)壟斷的突破口,緩解以美國為首的發(fā)達國家對我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展形成的壓力,最終完成彎道超車。
對于消費電源產(chǎn)業(yè)而言,隨著氮化鎵技術(shù)及市場化應用逐漸成熟,大規(guī)模量產(chǎn)將帶來巨大的成本優(yōu)勢,未來的快充市場也將被氮化鎵技術(shù)徹底激活,不斷刺激傳統(tǒng)快充配件市場全面開啟產(chǎn)品迭代模式。這期間,經(jīng)過工程師的不斷探索,涌現(xiàn)出一大批創(chuàng)新型氮化鎵快充,推動行業(yè)發(fā)展起到了深遠影響。
這也將為整個快充產(chǎn)業(yè)鏈帶來極大的利好,在即將爆發(fā)的大規(guī)模產(chǎn)品迭代中,不僅是氮化鎵功率器件,與之配套的控制芯片、變壓器、電容、快充工廠都將迎來前所未有的市場機遇。
去年9月,英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段,標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成,同時也預示中國功率半導體步入一個嶄新時代。
氮化鎵芯片上游
在氮化鎵快充市場不斷發(fā)展壯大的過程中,入局該領(lǐng)域的玩家也逐漸增多。在最受關(guān)注的氮化鎵功率器件方面,雖然據(jù)充電頭網(wǎng)拆解數(shù)據(jù)顯示,目前僅有納微、PI、英諾賽科、GaNsystems、Transphorm五家品牌的氮化鎵功率器件正式量產(chǎn)出貨并成功導入了終端產(chǎn)品;但在充電頭網(wǎng)最新的整理的供應商名單中,已有十余家國內(nèi)外氮化鎵原廠推出了多達數(shù)十款氮化鎵芯片。
從表格中可以看到,除了上面提到的五家品牌外,全球范圍內(nèi)已有東科半導體、聚能創(chuàng)芯、氮矽科技、鎵未來、量芯微、英諾賽科、英飛凌、意法半導體、TI、芯冠科技、能華等11家氮化鎵快充功率器件供應商。
此外,氮化鎵功率器件的形態(tài)也不僅局限于傳統(tǒng)的單管,而是根據(jù)不同的應用場景呈現(xiàn)出多樣化發(fā)展;比如為了應對高密度快充電源的設(shè)計需求,合封的氮化鎵功率芯片逐漸成為市場發(fā)展趨勢。充電頭網(wǎng)通過系統(tǒng)研究了解到,目前市面上合封氮化鎵芯片可分為四種類型,分別為:控制器+驅(qū)動器+GaN、驅(qū)動器+GaN、驅(qū)動器+2*GaN、驅(qū)動器+保護+GaN。
在氮化鎵控制芯片方面,目前市場上的GaN控制器按照不同的分類規(guī)則可以劃分為不同的類型。比如按照芯片集成度來劃分,可以分為分立式氮化鎵控制器以及合封氮化鎵控制器兩種;按照拓撲架構(gòu)來分,則可以分為LLC、ACF、QR、ZVS等主流的類型。
充電頭網(wǎng)通過調(diào)研了解到,目前市面上已有13家品牌推出了30款氮化鎵控制器,可滿足USB PD標準下全功率范圍的產(chǎn)品設(shè)計需求。
值得一提的是,除了常見的進口芯片品牌之外,國內(nèi)已有南芯半導、美思迪賽、亞成微、杰華特、必易微等多家電源芯片原廠布局了氮化鎵控制器產(chǎn)品線,其中已有部分企業(yè)率先量產(chǎn)出貨,實現(xiàn)了技術(shù)的自主可控。
氮化鎵制造工廠
氮化鎵快充的快速興起,同時也為充電器工廠提供了巨大的發(fā)展空間,大批的傳統(tǒng)充電器廠商紛紛迅速轉(zhuǎn)戰(zhàn)氮化鎵市場。從技術(shù)引入、團隊搭建到設(shè)備采購、產(chǎn)線配置,響應速度前所未有,充分展現(xiàn)了氮化鎵快充市場的魅力。同時也得益于快充工廠的大力投入,氮化鎵快充市場才出現(xiàn)如此迅猛的發(fā)展態(tài)勢。
近期,充電頭網(wǎng)專門針對快充成品工廠整理了一份名單,這些快充企業(yè)部分已經(jīng)投產(chǎn)氮化鎵快充,還有不少正在積極籌備進入這塊市場。
從表格中可以看到,目前市面上主流的快充充電器代工廠已經(jīng)多達數(shù)百家。其中80%以上的快充工廠都分布在我國的粵港澳大灣區(qū),主要集中在深圳、東莞、惠州、廣州等城市,由此可見,市面上至少有超過一半的氮化鎵快充充電器都出自這里。
充電頭網(wǎng)從供應鏈獲取的信息顯示,全球主要的消費電源工廠都會在深圳設(shè)立研發(fā)中心、采購中心、運營中心等重要部門,以便更好利用灣區(qū)完善的產(chǎn)業(yè)鏈資源,以及豐富的人才資源、信息流資源。大灣區(qū)已經(jīng)成為全球消費電源應用中心,堪稱世界電源之都。
氮化鎵品牌廠商
在氮化鎵快充品牌方面,目前華為、小米、OPPO、魅族、三星、中興、努比亞、魅族、realme、戴爾、聯(lián)想等多家知名手機/筆電品牌先后入局氮化鎵快充市場。另據(jù)可靠消息顯示,蘋果也將在2021年推出氮化鎵快充。
來自充電頭網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,2020年已經(jīng)有10家手機廠商推出了18款氮化鎵快充,產(chǎn)品種類非常豐富,一時間市場變得熱鬧非凡。
包括上文中提到的10家手機廠商推出的18款氮化鎵快充充電器在內(nèi),充電頭網(wǎng)還拆解了近百款主流品牌的氮化鎵快充產(chǎn)品。通過整理匯總發(fā)現(xiàn),以上近百款充電器分別來自50個不同的品牌。
在這近百款氮化鎵快充配件中,手機/筆電廠商共占比約20%,第三方品牌產(chǎn)品占比約80%。由此可見,雖然移動終端設(shè)備廠商可以影響市場對氮化鎵快充的需求量,但不得不說,第三方配件品牌在豐富氮化鎵快充產(chǎn)品類型方面功不可沒。
在輸出接口方面,USB-C接口和2C1A成為最受各家廠商歡迎的類型,各占約29%的比例;此外1A1C配置的氮化鎵快充產(chǎn)品也比較多,有將近占比21%。
功率配置方面,65W氮化鎵快充成為了過去兩年中市場熱度最高的產(chǎn)品,幾乎成為了每家品牌的必備。在充電頭網(wǎng)拆解的氮化鎵快充產(chǎn)品中,65W氮化鎵快充數(shù)量也不出意外的排在第一,占比達到60%,比其他所有功率段的產(chǎn)品總和還要多。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
作為第三代半導體材料,GaN氮化鎵的運行速度比傳統(tǒng)硅(Si)技術(shù)加快了二十倍,用于尖端快速充電器產(chǎn)品時,可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能,相同尺寸的情況下輸出功率可提高三倍。
值得一提的是,相比于其他領(lǐng)域的應用,第三代半導體技術(shù)已經(jīng)率先在消費類快充電源領(lǐng)域進入快車道,無論是火遍整個快充電源市場的氮化鎵,還是大功率PD快充趨勢下的碳化硅,均有諸多量產(chǎn)案例。消費類電源市場已經(jīng)成為展現(xiàn)第三代半導技術(shù)的重要舞臺,同時也充分體現(xiàn)了消費類電源市場對新技術(shù)接納程度高、產(chǎn)品更新迭代速度快的行業(yè)屬性。
氮化鎵被寫進十四五規(guī)劃,將成為氮化鎵快充市場真正爆發(fā)的開端。相信隨著國家對第三代半導體產(chǎn)業(yè)扶持項目的推進,將有越來越多的國產(chǎn)氮化鎵企業(yè)以及氮化鎵控制器企業(yè)進入市場,進一步加速催化氮化鎵快充市場的成熟。
去年,充電頭網(wǎng)還聯(lián)合眾多第三代半導體產(chǎn)業(yè)企業(yè),發(fā)起了世界氮化鎵快充日,這一日期還有一個小故事,其中氮在元素周期表排序第7位,鎵排序第31位。每年7月31日第三代半導體行業(yè)將會舉行盛大的慶?;顒?,覆蓋產(chǎn)學研多個領(lǐng)域的全球規(guī)模盛會,用于紀念氮化鎵、碳化硅新技術(shù)在快充上的革新應用。
氮化鎵快充,未來可期,讓我們一起加油GaN!
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